Samsung готує оперативну пам’ять наступного покоління
Samsung розповіла про роботу над наступним поколінням оперативної пам’яті, а також розробку пам’яті для відеокарт наступного покоління. І насправді, і в іншому випадку швидкість і пропускна здатність зростуть. Правда, новинки вийдуть не скоро.
DDR5 тільки вийшов на ринок, до цього DDR4 проіснував шість років. Якщо DDR5 повторить шлях свого попередника, то появи в продажу DDR6 варто очікувати не раніше 2026 року.
Samsung Galaxy S22 Ultra S Pen – очікувана новинка

Samsung також працює над пам’яттю GDDR6 +, яка замінить чіпи GDDR6, які є в переважній більшості сучасних відеокарт. На даний момент лише Micron перевищив поріг швидкості в 21 Гбіт/с зі своїми чіпами GDDR6X, але GDDR6+ буде ще швидше – до 24 Гбіт/с. Це дозволить відеокартам з 320-бітною шиною пам’яті забезпечити пропускну здатність пам’яті більше 1 ТБ/с, а пропускна здатність пам’яті моделей з 256-бітною шиною досягне 768 Гб/с.
GDDR6 + буде замінено на GDDR7 зі швидкістю до 32 Гбіт/с. Це забезпечить графічні процесори 256-бітної шини з пропускною здатністю пам’яті 1 ТБ/с і 1,5 ТБ/с для 384-розрядних моделей шини. Правда, відеокарти з GDDR7 з’являться ледве до того, як DDR6 надійде в продаж.

Нарешті, Samsung підтвердила плани розпочати масове виробництво пам’яті HBM3 у другому кварталі наступного року. Ця пам’ять буде використовуватися в графічних прискорювачах і процесорах для центрів обробки даних
Резистивна оперативна пам’ять Weebit (ReRAM або RRAM) – це нова технологія енергонезалежної пам’яті






